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J-GLOBAL ID：201403036619036417

接続構造及びその製造方法、半導体装置

Inventor：
山田 綾香

About 山田 綾香

, 
佐藤 信太郎

About 佐藤 信太郎


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014066715
Publication number (International publication number)：2014212308
Application date： Mar. 27, 2014
Publication date： Nov. 13, 2014
Summary：
【課題】ナノカーボン材料を用いるも、ナノカーボン材料と電極との十分に低いコンタクト抵抗を実現する信頼性の高い接続構造及びその製造方法を得る。【解決手段】接続構造は、Si基板1と、Si基板1の上方に形成されたナノカーボン材料4と、ナノカーボン材料4と電気的に接続された電極5とを有しており、Si基板1とナノカーボン材料4との間に、ドーピング機能を有する分子材料3が挿入されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板の上方に形成された第1のナノカーボン材料と、 前記第1のナノカーボン材料と電気的に接続された電極と を含み、 前記基板と前記第1のナノカーボン材料との間に、ドーピング機能を有する分子材料が挿入されていることを特徴とする接続構造。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/336
FI (7)：
H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 S ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T
F-Term (49)：
4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (13)
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