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J-GLOBAL ID：200903099717425555

記憶素子の作製方法

Inventor： 吉住 健輔
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008063862
Publication number (International publication number)：2008270763
Application date： Mar. 13, 2008
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】歩留まりが高く、簡便かつ安価に記憶素子を提供することを課題とする。【解決手段】第1の導電層を形成し、第1の導電層上に、有機物に被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、組成物を乾燥し、第1の導電層上に残存した有機物に被覆されたナノ粒子のうち、表面側に位置するナノ粒子を被覆する有機物を分解する前処理を施した後焼成する。このようにして、表面側に位置するナノ粒子の焼結により第2の導電層を形成する。なお、前処理が施されていない有機物に被覆されたナノ粒子よりメモリ層が形成される。よって、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層に挟持されたメモリ層とを有する記憶素子を、前処理を行うことで簡便に作製することができる。以上のことから、歩留まり良く、簡便かつ安価に記憶素子を提供することが可能となる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

第1の導電層を形成し、 前記第1の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、 前記組成物を乾燥し、 前記第1の導電層上に残存した有機物で被覆されたナノ粒子のうち、表面側に位置するナノ粒子を被覆する有機物を分解する前処理を施した後、 焼成することで表面側に位置するナノ粒子の焼結により第2の導電層を形成すると共に、 前記第1の導電層と前記第2の導電層に挟持された未焼結のナノ粒子よりメモリ層が形成されることを特徴とする記憶素子の作製方法。

IPC (2)：

H01L 27/10 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L27/10 431 ,  H01L29/78 613B

F-Term (65)：

5F083CR14 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083LA10 ,  5F083PR23 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F110AA28 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• メモリデバイス及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-200276   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (5)

• 有機強誘電体メモリ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-072578   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• メモリ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-347080   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-084382   Applicant：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学, 松下電器産業株式会社
• 量子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-015381   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法、電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-007901   Applicant：セイコーエプソン株式会社