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J-GLOBAL ID：201503058569840296

半導体記憶装置

Inventor： 安田 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013124635
Publication number (International publication number)：2015002195
Application date： Jun. 13, 2013
Publication date： Jan. 05, 2015
Summary：

【課題】トンネル絶縁膜の電流-電界特性を急峻にすることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置は、半導体チャネルと、電極層と、電荷蓄積膜と、シリコン、酸素および窒素を含むトンネル絶縁膜と、第1の絶縁膜と、を備えている。トンネル絶縁膜は、少なくとも、半導体チャネル側に設けられた第1のトンネル絶縁膜と、電荷蓄積膜側に設けられた第2のトンネル絶縁膜とを有する。第1の絶縁膜は、第1のトンネル絶縁膜における半導体チャネル側の面の反対側の面に設けられ、第1のトンネル絶縁膜よりも酸素原子の面密度が小さく、且つ窒化シリコンよりも誘電率が高い。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体チャネルと、 電極層と、 前記半導体チャネルと前記電極層との間に設けられた電荷蓄積膜と、 前記半導体チャネルと前記電荷蓄積膜との間に設けられ、シリコン、酸素および窒素を含むトンネル絶縁膜であって、少なくとも、前記半導体チャネル側に設けられた第1のトンネル絶縁膜と、前記電荷蓄積膜側に設けられた第2のトンネル絶縁膜とを有するトンネル絶縁膜と、 前記第1のトンネル絶縁膜における前記半導体チャネル側の面の反対側の面に設けられ、前記第1のトンネル絶縁膜よりも酸素原子の面密度が小さく、且つ窒化シリコンよりも誘電率の高い第1の絶縁膜と、 を備えた半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

F-Term (32)：

5F083EP03 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP43 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083ER21 ,  5F083GA10 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA42 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BB03 ,  5F101BD13 ,  5F101BD16 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BE07