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J-GLOBAL ID：201503063931670454
酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物の濃縮方法
松田 和男
, About 松田 和男
星山 健
About 星山 健
Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学
, About 国立大学法人東北大学
株式会社ダイトク
About 株式会社ダイトク
Agent (1)： 特許業務法人みのり特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011095164
Publication number (International publication number)：2012223729
Patent number：5694842
Application date： Apr. 21, 2011
Publication date： Nov. 15, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】 酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、
前記ブラスト処理物が、酸化インジウム系化合物含有膜の付着している物体から、植物系ブラスト材を用いたブラスト処理により、前記膜成分を剥離することによって得られたものであること、および、
酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含む前記ブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むこと
を特徴とする、ブラスト処理物の濃縮方法。
IPC (5)：
B09B 5/00 ( 200 6.01)
, C01G 15/00 ( 200 6.01)
, B09B 3/00 ( 200 6.01)
, B24C 1/00 ( 200 6.01)
, C22B 58/00 ( 200 6.01)
FI (7)：
B09B 5/00 ZAB C
, C01G 15/00 B
, B09B 3/00 303 A
, B09B 3/00 303 Z
, B09B 5/00 Z
, B24C 1/00 C
, C22B 58/00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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基板処理方法及び基板処理装置
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