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J-GLOBAL ID：201503065827680793

有機半導体組成物

Inventor： 瀧宮 和男 ,  桑原 博一 ,  由井 樹人 ,  池田 征明
Applicant, Patent owner： 日本化薬株式会社
Agent (1)： 特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013170879
Publication number (International publication number)：2014013920
Patent number：5715664
Application date： Aug. 21, 2013
Publication date： Jan. 23, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって、 該有機半導体材料が下記一般式(1)

IPC (8)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C09D 11/00 ( 201 4.01) ,  C07D 495/04 ( 200 6.01) ,  C07D 517/04 ( 200 6.01)

FI (11)：

H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 310 L ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 F ,  C09D 11/00 ,  C07D 495/04 101 ,  C07D 517/04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機装置の電気性質を向上する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-210177   Applicant：財団法人工業技術研究院
• 半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-178743   Applicant：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-547243   Applicant：アベシア・リミテッド

Cited by examiner (3)

• 有機装置の電気性質を向上する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-210177   Applicant：財団法人工業技術研究院
• 半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-178743   Applicant：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
• 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-547243   Applicant：アベシア・リミテッド