熱処理によって表面を平滑化するプロセス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：勝沼宏仁 , 関根毅 , 橘谷英俊
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014537680
Publication number (International publication number)：2014535171
Application date： Oct. 26, 2012
Publication date： Dec. 25, 2014
Summary：

Ga、As、Al、In、PおよびNから選択される少なくとも2種の元素による半導体合金で作製される第1の基板(3)の粗面(4)を、第1の基板(3)に対向する第2の基板(6)を、粗面(4)が第2の基板(6)の表面に対向して置かれるように置くことによって、平滑化するプロセスが実施される。第1(3)および第2(6)の基板は少なくとも10μmの距離dで分離され、2つの基板(3、6)の対向部分が制限空間(5)を画定する。次いで、前記合金の元素の1つを部分的に脱着し、制限空間(5)内でこの元素の飽和蒸気圧に達し、粗面(4)の粗さを低減させるのに十分な表面原子移動度を得るために第1の基板(3)は加熱される。

Claim (excerpt)：

第1の基板(3)の粗面(4)を平滑化する方法であって、 Ga、As、Al、In、PおよびNから選択される少なくとも2種の元素による半導体合金から製造された前記粗面(4)を有する前記第1の基板(3)を準備するステップと、前記第1の基板(3)の前記粗面(4)に表面が対向するように前記第2の基板(6)を置き、前記2つの基板(3および6)を少なくとも10μmと等しい距離dで分離し、前記2つの基板(3,6)の対向部分が制限空間(5)を画定するステップと、前記半導体合金の元素の1つを部分的に脱着し、前記制限空間(5)内でこの元素の飽和蒸気圧に達し、前記粗面(4)の粗さを低減させるのに十分な表面原子移動度が得られるように前記第1の基板(3)を加熱するステップと、を含むプロセス。

IPC (4)：

H01L 21/324 , H01L 21/02 , C30B 33/02 , C30B 29/42

FI (5)：

H01L21/324 C , H01L21/324 X , H01L21/02 B , C30B33/02 , C30B29/42

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077BE42 , 4G077BE43 , 4G077BE44 , 4G077BE45 , 4G077BE46 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FE20 , 4G077HA06 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭59-025216
特開昭57-183041
基板上に多層を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-304897 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク