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J-GLOBAL ID：201503075790162059

単結晶ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013205146
Publication number (International publication number)：2015067516
Application date： Sep. 30, 2013
Publication date： Apr. 13, 2015
Summary：

【課題】接合面の結晶学的性質が優れた単結晶ダイヤモンド基板を提供する。【解決手段】下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法:(1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板A,Bであって、種基板A,Bのオフ方向と種基板A,Bの稜線のなす角が17度より大きく、90度未満となるように種基板A,Bの主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板A,Bを、支持台上に、互いの整形加工された種基板A,Bの側面同士が接触し、種基板A,Bの結晶面のオフ方向を一致させ、且つ種基板A,Bの主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程。(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板A,Bの主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法: (1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板のオフ方向と該種基板の稜線のなす角が17度より大きく、90度以下となるように該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板を、支持台上に、互いの整形加工された該種基板の側面同士が接触し、該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、 (2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/06

FI (3)：

C30B29/04 P ,  C23C16/27 ,  C01B31/06 A

F-Term (41)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB08 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EB06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG11 ,  4G077GA05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC17A ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD01 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146CB07 ,  4G146CB26 ,  4G146CB33 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA01 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンドCVD成長用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-316590   Applicant：並木精密宝石株式会社
• 単結晶ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-402410   Applicant：住友電気工業株式会社