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J-GLOBAL ID：201503088071615291

バースト超高速レーザーパルスのフィラメンテーションによりシリコンをレーザー加工する方法および装置

Inventor：
エス. アッバス ホッセイニ

About エス. アッバス ホッセイニ


Applicant, Patent owner：
ロフィン-ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド

About ロフィン-ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド


Agent (3)： 津野 孝 ,  加藤 来 ,  平林 岳治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014243133
Publication number (International publication number)：2015110248
Application date： Dec. 01, 2014
Publication date： Jun. 18, 2015
Summary：
【課題】カーフ幅ほぼ0で粗さが少なくなるシリコンのレーザスクライビング方法の提供【解決手段】シリコンをレーザー加工する方法は、カー材料をシリコンと係合するように配置してカー材料と透明な対象基板10であるシリコンとの間に界面を形成するステップを含む。第1波長で動作する少なくとも1つのサブパルスがバーストエンベロープに含まれるレーザービーム2を適用する。レーザービームは、分散レンズ集束装置26を通過してカー材料に到達する。第1波長が複数の第2波長に変更され、それらの第2波長の一部がシリコンの加工に有効である。界面を通じてシリコンに伝えられる第2波長の一部によるレーザーパルスエネルギーによりカー効果の自己集束を開始し、その自己集束をシリコンに入力される追加のエネルギーによってシリコンに伝搬させてシリコンの内部にフィラメントを作成することにより光音響圧縮工程を作り出す。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
上面を有するシリコン基板を提供するステップと、 カー材料を提供し、該カー材料を前記シリコン基板の上面に係合するように配置して該カー材料と該シリコン基板との間に界面を形成するステップと、 第1波長で動作するサブパルスを1〜50個含むバーストエンベロープに少なくとも1つのサブパルスが含まれるレーザービームを、レーザー源から分散レンズ集束装置を通じて前記カー材料に適用するステップと、 前記サブパルスが前記カー材料を通過するときに、該サブパルスが該カー材料と前記シリコン基板の上面との間の前記界面で該カー材料から白色光である複数の第2波長で放射されるように該サブパルスの第1波長を変更するステップであって、該サブパルスの複数の第2波長の一部が1.3μm以上であるステップと 前記界面を通じて前記シリコン基板に伝えられる前記複数の第2波長の1.3μm以上である前記一部によりカー効果の自己集束を開始し、該自己集束を前記シリコン基板に入力される追加のエネルギーによって該シリコン基板に伝搬させて該シリコン基板の内部にフィラメントを作成することにより光音響圧縮工程を作り出すステップと を含むシリコンをレーザー加工する方法。
IPC (11)：
B23K 26/55 ,  B23K 26/064 ,  B23K 26/062 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/02 ,  B23K 26/066 ,  B23K 26/16 ,  B23K 26/18 ,  B23K 26/53 ,  B23K 26/08 ,  H01L 21/301
FI (14)：
B23K26/55 ,  B23K26/064 Z ,  B23K26/062 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/064 A ,  B23K26/02 Z ,  B23K26/00 N ,  B23K26/066 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/53 ,  B23K26/08 Z ,  B23K26/08 D ,  H01L21/78 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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