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J-GLOBAL ID：201503088196362085
X線源及びこれを用いるX線照射装置並びにX線光電子分光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
清原 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014194466
Publication number (International publication number)：2015088485
Application date： Sep. 24, 2014
Publication date： May. 07, 2015
Summary：
【課題】Cr等のターゲット表面を耐熱性の高い薄膜で覆うことによってターゲットの昇華を抑え、より高い温度による電子ビーム照射を実現し、これによりスポットサイズを100μmあるいはそれ以下に保ったままで2倍から10倍の高いX線強度を得ることができる。【解決手段】基板上に形成されたターゲット層と、該ターゲット層を被覆するコーティング層とを備えるX線源であって、前記ターゲット層は、Cr、Al、Ag、Mg及びTiよりなる群から選択される少なくとも一種を含み、前記コーティング層は、高融点化合物を含む薄膜であり、前記高融点化合物は、高融点遷移金属、該高融点遷移金属の酸化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、酸窒化物、けい化物及びカルコゲン化物、並びに、前記高融点遷移金属の金属ダイシリサイド及び金属アルミナイド、さらにはSi基セラミックスよりなる群から選択される少なくとも一種を含むことを特徴とするX線源とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたターゲット層と、該ターゲット層を被覆するコーティング層とを備えるX線源であって、
前記ターゲット層は、Cr、Al、Ag、Mg及びTiよりなる群から選択される少なくとも1種を含み、
前記コーティング層は、高融点化合物を含む薄膜であり、
前記高融点化合物は、高融点遷移金属、該高融点遷移金属の酸化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、酸窒化物、けい化物及びカルコゲン化物、並びに、前記高融点遷移金属の金属ダイシリサイド及び金属アルミナイド、さらにはSi基セラミックスよりなる群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とするX線源。
IPC (4)：
H01J 35/08
, H05G 2/00
, H05G 1/00
, G01N 23/227
H01J35/08 B
, H05G2/00 J
, H05G1/00 R
, G01N23/227 310
, H01J35/08 C
2G001AA01
, 2G001BA08
, 2G001CA03
, 2G001EA02
, 2G001GA01
, 2G001KA01
, 4C092AA01
, 4C092AB14
, 4C092AB19
, 4C092BD05
, 4C092BD17
