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J-GLOBAL ID：201303087818673678

透過型X線発生装置及びそれを用いたX線撮影装置

Inventor：
小倉 孝夫

About 小倉 孝夫

, 
佐藤 安栄

About 佐藤 安栄


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011189111
Publication number (International publication number)：2013051156
Application date： Aug. 31, 2011
Publication date： Mar. 14, 2013
Summary：
【課題】透過型ターゲットで反射した電子を有効利用することでX線発生効率を向上させることができる透過型X線発生装置及びそれを用いたX線撮影装置を提供する。【解決手段】電子通過路8と、ターゲット支持基板9a上に設けられた透過型ターゲット9cとを有し、電子通過路8を介して、電子を透過型ターゲット9cに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、透過型ターゲット9cが、ターゲット支持基板9aの中央領域に設けられており、透過型ターゲット9cで覆われていないターゲット支持基板9aの周縁領域の少なくとも一部が、透過型ターゲット9cから反射した電子が電子通過路8の内壁面に入射することにより生じるX線に対して、透過型ターゲット9cで覆われたターゲット支持基板9aの中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
周囲を電子通過路形成部材で囲むことにより形成された電子通過路と、絶縁性のターゲット支持基板上に設けられた透過型ターゲットとを有し、 前記電子通過路を介して、電子を前記透過型ターゲットに照射してX線を発生させる透過型X線発生装置であって、 前記透過型ターゲットが、前記ターゲット支持基板の中央領域に設けられており、 前記透過型ターゲットで覆われていない前記ターゲット支持基板の周縁領域の少なくとも一部が、前記透過型ターゲットから反射した電子が前記電子通過路の内壁面に入射することにより生じるX線に対して、前記透過型ターゲットで覆われた前記ターゲット支持基板の中央領域に比して高い透過性を有していることを特徴とする透過型X線発生装置。
IPC (1)：
H01J 35/08
FI (3)：
H01J35/08 F ,  H01J35/08 D ,  H01J35/08 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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