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J-GLOBAL ID：201603000550088844

磁性薄膜および磁性薄膜を含む応用デバイス

Inventor： 中田 仁志 ,  島津 武仁
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014129203
Publication number (International publication number)：2016009753
Application date： Jun. 24, 2014
Publication date： Jan. 18, 2016
Summary：

【課題】高い磁気異方性定数Kuおよび大きな保磁力Hcを有する磁性薄膜、および当該磁性薄膜を含む応用デバイスを提供する。【解決手段】FeおよびNiからなる群から選択される少なくとも1種の第1元素と、Pt、Pd、AuおよびIrからなる群から選択される少なくとも1種の第2元素と、Scとを含む規則合金を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

規則合金を含み、前記規則合金は、FeおよびNiからなる群から選択される少なくとも1種の第1元素と、Pt、Pd、AuおよびIrからなる群から選択される少なくとも1種の第2元素と、Scとを含むことを特徴とする磁性薄膜。

IPC (9)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/65 ,  H01F 10/32 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  B81B 7/02

FI (8)：

H01F10/14 ,  G11B5/65 ,  H01F10/32 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  B81B7/02

F-Term (49)：

3C081BA22 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081CA31 ,  3C081DA27 ,  3C081EA14 ,  4M119AA11 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119JJ03 ,  5D006BB05 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA30 ,  5E049GC01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC39 ,  5F092BE12 ,  5F092BE21 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-280620   Applicant：株式会社東芝
• 規則化合金を含む薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-199609   Applicant：富士電機株式会社, 国立大学法人東北大学