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J-GLOBAL ID：201603001172633142

エレクトレット素子、当該エレクトレット素子を搭載したマイクロフォン、及び、当該エレクトレット素子の製造方法

Inventor： 橋口 原 ,  西森 勇貴 ,  有岡 真一 ,  鈴木 雅人 ,  石橋 和徳
Applicant, Patent owner： 国立大学法人静岡大学 ,  アオイ電子株式会社 ,  株式会社鷺宮製作所
Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014215229
Publication number (International publication number)：2016082836
Application date： Oct. 22, 2014
Publication date： May. 16, 2016
Summary：

【課題】良好な電荷安定性を有するエレクトレット素子の提供。【解決手段】エレクトレット素子20において、酸化シリコン(SiO2)を含むエレクトレット膜2が形成され、エレクトレット膜2の上には、原子層堆積法(ALD法)で堆積させた酸化アルミニウムの保護膜5が形成される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸化シリコンを含むエレクトレット膜が形成され、 前記エレクトレット膜の上には、原子層堆積法で堆積させた酸化アルミニウムの保護膜が形成されるエレクトレット素子。

IPC (3)：

H02N 1/00 ,  H04R 19/01 ,  H04R 19/04

FI (3)：

H02N1/00 ,  H04R19/01 ,  H04R19/04

F-Term (2)：

5D021CC03 ,  5D021CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-003314   Applicant：日本放送協会, 財団法人小林理学研究所, リオン株式会社
• 薄膜製造方法および表示パネルの製造方法、TFT基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-107770   Applicant：パナソニック株式会社
• 正イオンを含有したエレクトレットの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-190350   Applicant：アオイ電子株式会社