半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015216373
Publication number (International publication number)：2016036046
Application date： Nov. 04, 2015
Publication date： Mar. 17, 2016
Summary：

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜206と、酸化物半導体膜206と重畳するゲート電極202と、酸化物半導体膜と206電気的に接続するソース電極208aおよびドレイン電極208bと、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜206上に接して、酸化ガリウムを含む第1の絶縁膜210を形成し、第1の絶縁膜上に接して第2の絶縁膜212を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体膜と、ゲート電極と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、前記ゲート電極上に重畳して前記酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に接して、ガリウムと酸素とを有する膜を形成し、前記ガリウムと酸素とを有する膜上に接して絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にレジストマスクを形成し、前記ガリウムと酸素とを有する膜および前記絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、前記レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、前記コンタクトホールを介して、前記ゲート電極、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成し、前記ガリウムと酸素とを有する膜は、加熱しながら形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28

FI (4)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

F-Term (78)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-126847 Applicant：富士フイルム株式会社
電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-020983 Applicant：キヤノン株式会社
回路基板の製造方法、回路基板及び電子表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-085017 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (6)

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