半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：福岡昌浩 , 阿仁屋節雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014188429
Publication number (International publication number)：2016063007
Application date： Sep. 17, 2014
Publication date： Apr. 25, 2016
Summary：

【課題】ボラジン環骨格を含む硼窒化膜の成膜レートを向上させる。【解決手段】基板に対してリガンドを含むボラジン系ガスを供給する工程と、基板に対してリガンドを脱離させるリガンド脱離ガスを供給する工程と、を同時に行う工程を、ボラジン系ガスにおけるボラジン環骨格が保持される条件下で、間欠的に行うことで、基板上に、ボラジン環骨格を有し、硼素および窒素を含む膜を形成する工程を有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板に対してリガンドを含むボラジン系ガスを供給する工程と、前記基板に対して前記リガンドを脱離させるリガンド脱離ガスを供給する工程と、を同時に行う工程を、前記ボラジン系ガスにおけるボラジン環骨格が保持される条件下で、間欠的に行うことで、前記基板上に、ボラジン環骨格を有し、硼素および窒素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/38 , C23C 16/455

FI (4)：

H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/38 , C23C16/455

F-Term (58)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA39 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030EA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EC05 , 5F045EE13 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EF11 , 5F045EG02 , 5F045EH12 , 5F045EH18 , 5F045EK06 , 5F058BC07 , 5F058BC09 , 5F058BD09 , 5F058BD12 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BG01 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-199536 Applicant：株式会社日立国際電気
特開昭61-266576
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-035472 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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