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J-GLOBAL ID:201403088803982406
成膜方法及び成膜装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅井 章弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013035472
Publication number (International publication number):2014007378
Application date: Feb. 26, 2013
Publication date: Jan. 16, 2014
Summary:
【課題】成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部33で混合して混合ガスを形成すると共に混合ガスと反応ガスとを処理容器内へ供給して薄膜を形成するようにする。これにより、成膜レートを高く維持しつつ膜厚の面内均一性も改善する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
原料ガスと反応ガスとを用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、
前記原料ガスと不活性ガスとをガス溜め部で混合して混合ガスを形成すると共に前記混合ガスと前記反応ガスとを前記処理容器内へ供給して前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3):
H01L 21/31
, H01L 21/318
, C23C 16/455
FI (4):
H01L21/31 B
, H01L21/31 C
, H01L21/318 B
, C23C16/455
F-Term (35):
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030AA20
, 4K030BA29
, 4K030BA40
, 4K030EA01
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030JA06
, 4K030JA11
, 4K030KA09
, 4K030KA24
, 4K030KA28
, 4K030KA41
, 4K030KA49
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045BB02
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045EE19
, 5F045EF09
, 5F058BC08
, 5F058BF04
, 5F058BF07
, 5F058BF24
, 5F058BF30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-193846
Applicant:理化学研究所, 新技術事業団
-
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-248292
Applicant:株式会社東芝
-
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-004191
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
縦型半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-107067
Applicant:株式会社日立国際電気
-
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-259142
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-210590
Applicant:株式会社日立国際電気
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Cited by examiner (9)
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半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-210590
Applicant:株式会社日立国際電気
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半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-092570
Applicant:株式会社日立国際電気
-
被処理体の熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-141401
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-109613
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-253231
Applicant:株式会社日立国際電気
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シリコン含有膜を形成する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2010-525945
Applicant:レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
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成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-004192
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-164786
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社東芝, セイコーエプソン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
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半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-320773
Applicant:株式会社日立国際電気
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