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J-GLOBAL ID:201603006370326362

センサIC

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015059904
Publication number (International publication number):2016180614
Application date: Mar. 23, 2015
Publication date: Oct. 13, 2016
Summary:
【課題】被検出体における誘電率変化の面内分布を密に検知し得るセンサICを提供する。【解決手段】センサIC(1A)は、半導体基板(2)の表面に被検出体を接触させて該被検出体による誘電率変化を検知する。半導体基板(2)の表面における同一平面に千鳥状に配置された複数の発振回路(10A)と、半導体基板(2)の表面近傍に存在する被検出体における各部分の誘電率変化の面内分布を、複数の発振回路(10A)の内の1つの基準となる発振回路(10A)との対比により検知する検知回路(22)とが設けられている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体基板の表面に被検出体を接触させて該被検出体による誘電率変化を検知するセンサICにおいて、 上記半導体基板の表面における同一平面に千鳥状に配置された複数のセンサ回路と、 上記半導体基板の表面近傍に存在する被検出体における各部分の誘電率変化の面内分布を、上記複数のセンサ回路の内の1つの基準となるセンサ回路との対比により検知する検知回路とが設けられていることを特徴とするセンサIC。
IPC (3):
G01R 27/26 ,  G01R 33/02 ,  G01N 27/22
FI (3):
G01R27/26 H ,  G01R33/02 E ,  G01N27/22 Z
F-Term (13):
2G017AD01 ,  2G017AD20 ,  2G017BA03 ,  2G017BA06 ,  2G028BC10 ,  2G028BD04 ,  2G028BE02 ,  2G028CG09 ,  2G028DH14 ,  2G028FK03 ,  2G028MS03 ,  2G060AF03 ,  2G060AF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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