Pat
J-GLOBAL ID：201603006494941146

光エネルギーの利用方法および光エネルギーの利用装置

Inventor：
佐山 和弘

About 佐山 和弘

, 
福 康二郎

About 福 康二郎

, 
三石 雄悟

About 三石 雄悟


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

About 国立研究開発法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014227981
Publication number (International publication number)：2016089250
Application date： Nov. 10, 2014
Publication date： May. 23, 2016
Summary：
【課題】半導体光電極を用いて、有用な酸化生成物を効率よく製造・捕集する。【解決手段】光エネルギーの利用装置10は、半導体光電極に光を照射して被酸化物から酸化生成物を生成する。光エネルギーの利用装置10は、電解槽12と、アノード電極14と、カソード電極16と、アノード電解液18と、カソード電解液20とを備えている。電解槽12は、隔膜22で区分されたアノード室24およびカソード室26を備えている。アノード電極14はアノード室24に設けられ、n型半導体30を表面に備えている。カソード電極16はカソード室26に設けられ、直流電源を介してアノード電極14と電気的に接続されている。アノード電解液18は、炭酸イオン、リン酸イオン、ホウ酸イオン、および過塩素酸イオンの中から選択される1以上のアニオンと、これらのアニオンと異なる被酸化物とを含有している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭酸イオン、リン酸イオン、ホウ酸イオン、および過塩素酸イオンの中から選択される1以上のアニオンと、前記アニオンと異なる被酸化物とを含むアノード電解液が注入されたアノード室と、カソード電解液が注入されたカソード室とを備える電解槽で、前記アノード室に設けられたアノード電極の表面のn型半導体に光を照射して、標準酸化還元電位が+1.23V(RHE)より正側である酸化還元反応によって、前記被酸化物から酸化生成物を生成する工程を有する光エネルギーの利用方法。
IPC (5)：
C25B 1/30 ,  C25B 9/08 ,  C25B 11/06 ,  C01B 3/04 ,  C01B 13/02
FI (5)：
C25B1/30 ,  C25B9/08 ,  C25B11/06 B ,  C01B3/04 R ,  C01B13/02 B
F-Term (26)：
4G042BA02 ,  4G042BA10 ,  4G042BA11 ,  4G042BB04 ,  4K011AA04 ,  4K011AA31 ,  4K011AA32 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K011DA11 ,  4K021AA01 ,  4K021AB15 ,  4K021BA02 ,  4K021BA04 ,  4K021BA05 ,  4K021BB02 ,  4K021BB03 ,  4K021BC08 ,  4K021CA05 ,  4K021DB05 ,  4K021DB18 ,  4K021DB20 ,  4K021DB21 ,  4K021DB31 ,  4K021DC11 ,  4K021DC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM