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J-GLOBAL ID：201603006687529129

シリコンインゴットの切断方法

Inventor： 村田 順二 ,  桐野 宙治
Applicant, Patent owner： 株式会社クリスタル光学 ,  株式会社ツールバンク ,  学校法人立命館
Agent (1)： 渡辺 三彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014501955
Patent number：5891470
Application date： Sep. 07, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】固定砥粒を用いていない金属製ワイヤに砥粒を含まないエッチング液を供給した状態で、前記金属製ワイヤをシリコンインゴットに押し当てながら走行させることにより、前記シリコンインゴットを切断するシリコンインゴットの切断方法であって、 前記金属製ワイヤは、ステンレス線又はピアノ線表面がクロム合金で覆われた線で形成されており、 前記金属製ワイヤを電気加熱により加熱した状態で、前記シリコンインゴットに押し当てながら走行させることにより、前記シリコンインゴットを切断することを特徴とするシリコンインゴットの切断方法。

IPC (3)：

B24B 27/06 ( 200 6.01) ,  B28D 5/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (3)：

B24B 27/06 E ,  B28D 5/04 C ,  H01L 21/304 611 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-298280
  
• シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-345919   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-105376   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-147852   Applicant：京セラ株式会社