Pat
J-GLOBAL ID：201603007324297575

結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法

Inventor：
織田 真也

About 織田 真也

, 
人羅 俊実

About 人羅 俊実


Applicant, Patent owner：
株式会社FLOSFIA

About 株式会社FLOSFIA


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014239391
Publication number (International publication number)：2016098166
Application date： Nov. 26, 2014
Publication date： May. 30, 2016
Summary：
【課題】異種基板上でも、工業的有利にエピタキシャル層を形成できる結晶成長用基板及びエピタキシャル成長方法の提供。【解決手段】結晶基板10の結晶成長面1上に、直接又は他の層を介して、凸部2又は凹部からなる凹凸部が形成されている結晶成長用基板11であって、結晶基板10が、結晶成長方向に垂直又は略垂直な第1及び第2の結晶軸を有しており、第1の結晶軸方向の熱膨張係数が第2の結晶軸方向の熱膨張係数よりも大きく、前記結晶成長面の一部又は全部に、第1の結晶軸に対して、平行又は略平行な方向に前記凹凸部が形成されている結晶成長用基板11。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凸部または凹部からなる凹凸部が形成されている結晶成長用基板であって、前記結晶基板が、結晶成長方向に垂直または略垂直な第1および第2の結晶軸を有しており、第1の結晶軸方向の熱膨張係数が第2の結晶軸方向の熱膨張係数よりも大きく、前記結晶成長面の一部または全部に、第1の結晶軸に対して垂直または略垂直な方向に前記凹凸部が形成されていることを特徴とする結晶成長用基板。
IPC (1)：
C30B 29/16
FI (1)：
C30B29/16
F-Term (12)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TH02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM