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J-GLOBAL ID：201003036537837099

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor：
佐々木 斉

About 佐々木 斉

, 
鷲見 紀彦

About 鷲見 紀彦

, 
砂川 晴夫

About 砂川 晴夫

, 
山本 一富

About 山本 一富


Applicant, Patent owner：
古河機械金属株式会社

About 古河機械金属株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009134042
Publication number (International publication number)：2010030877
Application date： Jun. 03, 2009
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：
【課題】下地基板の無極性面上に高品質のIII族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】m面の無極性面を主面とする下地基板10の当該無極性面上に炭素とアルミニウムとを含む中間層11を形成する工程と、中間層11の少なくとも一部を窒化して窒化膜11Nを形成する工程と、窒化膜11Nの上部にIII族窒化物半導体層12,13をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体層12,13から下地基板10を剥離させてIII族窒化物半導体層12,13を含むIII族窒化物半導体基板14を得る工程と、を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下地基板上に炭素とアルミニウムとを含む中間層を形成する工程と、 前記中間層の少なくとも一部を窒化して窒化膜を形成する工程と、 六方晶系のm面を成長面として有するIII族窒化物半導体層を前記窒化膜の上部にエピタキシャル成長させる工程と、 前記III族窒化物半導体層から前記下地基板を剥離させて前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、 を含む、III族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/02
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02
F-Term (51)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC02 ,  4G077TC14 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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