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J-GLOBAL ID：201603007338765598

欠陥観察方法及びその装置

Inventor： 大谷 祐子 ,  前田 俊二 ,  浦野 雄太 ,  本田 敏文 ,  平井 大博 ,  高橋 哲 ,  高増 潔
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 青稜特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014145199
Publication number (International publication number)：2016020867
Application date： Jul. 15, 2014
Publication date： Feb. 04, 2016
Summary：

【課題】センサで捕集される欠陥散乱光量を上げるため,照明波長の短波長化や検出レンズの高NA化(NA: Numerical Aperture)などが行われている。しかし,照明波長短波長化には技術,装置コスト的に限界がある。検出レンズの高NA化方法としては,液浸や屈折率が負のメタマテリアルなどがあるが,液浸は半導体検査において使用は難しく、またメタマテリアルは、まだ技術的に実用化は困難である。【解決手段】照射条件または試料の条件または検出条件のうち少なくとも一つの条件のみを変化させた異なる複数の光学条件にて該試料を照射し該試料からの複数の光を検出する光取得ステップと、該検出した複数の光に基づく複数の信号を取得する信号取得ステップと、該複数の信号を用いて作成した波形特徴量または画像特徴量または値特徴量により、欠陥とノイズとを判別し、該欠陥の座標を求める処理ステップと、を備えた欠陥観察方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

照射条件または試料の条件または検出条件のうち少なくとも一つの条件のみを変化させた異なる複数の光学条件にて該試料を照射し該試料からの複数の光を検出する光取得ステップと、 該検出した複数の光に基づく複数の信号を取得する信号取得ステップと、 該複数の信号を用いて作成した波形特徴量または画像特徴量または値特徴量により、欠陥とノイズとを判別し、該欠陥の座標を求める処理ステップと、を備えた欠陥観察方法。

IPC (1)：

G01N 21/956

FI (1)：

G01N21/956 A

F-Term (16)：

2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051BA01 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB05 ,  2G051BB07 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  2G051EA08 ,  2G051EB05 ,  2G051EC06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 欠陥検査装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-115005   Applicant：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 特許第7184138号