結晶性積層構造体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014239390
Publication number (International publication number)：2016100593
Application date： Nov. 26, 2014
Publication date： May. 30, 2016
Summary：

【課題】クラックが低減され、かつ、横方向に結晶成長したコランダム構造のエピタキシャル膜を有する結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】本発明の結晶性積層構造体は、結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル膜がボイドを含むことを特徴とし、結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、前記エピタキシャル膜を成膜することにより、ボイドを形成する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル膜がボイドを含むことを特徴とする結晶性積層構造体。

IPC (7)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C30B 29/16 , C30B 25/04 , C23C 16/40 , C23C 16/448 , H01L 21/365

FI (7)：

H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/16 , C30B25/04 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/365

F-Term (60)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB05 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077EF02 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TC01 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K030AA02 , 4K030AA14 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA03 , 4K030KA03 , 4K030KA23 , 4K030KA25 , 4K030LA12 , 5F045AA04 , 5F045AB40 , 5F045AF09 , 5F045CA02 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB09 , 5F152LL02 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM08 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN30 , 5F152NP13 , 5F152NP30 , 5F152NQ01 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特許第5343224号
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
III族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-194414 Applicant：豊田合成株式会社

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