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J-GLOBAL ID：201603008568460873

炭化珪素単結晶およびその製造方法

Inventor： 廣瀬 富佐雄 ,  小島 淳 ,  児島 一聡 ,  加藤 智久 ,  安達 歩 ,  西川 恒一
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010172287
Publication number (International publication number)：2012031014
Patent number：5839315
Application date： Jul. 30, 2010
Publication date： Feb. 16, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 窒素が2×1019cm-3以上の濃度でドープされていると共に、アルミニウムがドープされ、窒素濃度に対するアルミニウム濃度の比率が5%以上かつ40%以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶。

IPC (2)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 23/06 ( 200 6.01)

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-005950   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 低抵抗率炭化珪素単結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-136476   Applicant：新日本製鐵株式会社