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J-GLOBAL ID：200903019705011603
炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008005950
Publication number (International publication number)：2009167047
Application date： Jan. 15, 2008
Publication date： Jul. 30, 2009
Summary：
【課題】転位欠陥の少ない良質の基板を得ることのできるSiC単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶中にドナー型の不純物を濃度2×1018cm-3以上6×1020cm-3以下、且つアクセプター型の不純物を濃度1×1018cm-3以上5.99×1020cm-3以下含有し、さらに前記ドナー型の不純物濃度がアクセプター型の不純物濃度より大きく、その差が1×1018cm-3以上5.99×1020cm-3以下とすることにより、抵抗率が低く、且つ基底面転位密度の小さなSiC単結晶インゴットを製造することができる。このようなSiC単結晶から切り出した基板及びエピタキシャルウェハを用いれば、電気的特性の優れた高周波・高耐圧電子デバイス、光学的特性の優れた青色発光素子の製作が可能となる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
炭化珪素単結晶中にドナー型の不純物を濃度2×1018cm-3以上6×1020cm-3以下、且つアクセプター型の不純物を濃度1×1018cm-3以上5.99×1020cm-3以下含有し、さらに前記ドナー型の不純物濃度がアクセプター型の不純物濃度より大きく、その差が1×1018cm-3以上5.99×1020cm-3以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (12)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077FG16
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
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