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J-GLOBAL ID：200903018763510559
低抵抗率炭化珪素単結晶基板
Inventor：
,
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136476
Publication number (International publication number)：2008290898
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：
【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための低抵抗率炭化珪素単結晶基板を提供する。【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、{0001}面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、該基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われていることを特徴とする低抵抗率炭化珪素単結晶基板。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (23)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077FG11
, 4G077GA02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA37
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030DA02
, 4K030FA10
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