低抵抗率炭化珪素単結晶基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136476
Publication number (International publication number)：2008290898
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための低抵抗率炭化珪素単結晶基板を提供する。【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、{0001}面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、該基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われていることを特徴とする低抵抗率炭化珪素単結晶基板。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C23C 16/42

FI (2)：

C30B29/36 A , C23C16/42

F-Term (23)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB06 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077FG11 , 4G077GA02 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-109194 Applicant：新日本製鐵株式会社
エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-151514 Applicant：新日本製鐵株式会社
炭化珪素平滑化基板の作製方法、炭化珪素平滑化基板、炭化珪素エピタキシャルウエハ、窒化ガリウムウエハ、及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-090698 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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