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J-GLOBAL ID：201603010768597860

連続注入および熱処理によってGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行うための方法

Inventor：
クレール、アグラフェーィユ

About クレール、アグラフェーィユ


Applicant, Patent owner：
コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ

About コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ


Agent (3)： 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  吉元 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015187787
Publication number (International publication number)：2016072627
Application date： Sep. 25, 2015
Publication date： May. 09, 2016
Summary：
【課題】連続注入および熱処理によるGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行う方法を提供すること。【解決手段】GaNを主成分とする半導体中のn型またはp型ドーパントの活性化を行う方法は、下記のステップ、すなわち、 GaNを主成分とする半導体材料層(1b)を備える基板(1)を用意することと、 少なくとも2回、下記の連続したステップ、すなわち、 半導体材料層(1b)に電気的なドーパント不純物(3)を注入すること、 半導体材料層(1b)中の電気的なドーパント不純物(3)を活性化するように熱処理を行い、熱処理が行われるときにキャップ層(2)が半導体材料層(1b)を被覆すること、を行うことと、を備え、 電気的なドーパント不純物(3)の2つの注入ステップが熱処理ステップによって分離されている。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
下記のステップ、すなわち、 GaNを主成分とする半導体材料層(1b)を備える基板(1)を用意することと、 少なくとも2回、下記の連続したステップ、すなわち、 前記半導体材料層(1b)に電気的なドーパント不純物(3)を注入すること、 前記半導体材料層(1b)中の前記電気的なドーパント不純物(3)を活性化するように熱処理を行い、前記熱処理が行われるときにキャップ層(2)が前記半導体材料層(1b)を被覆すること、を行うことと を備えるGaNを主成分とする半導体層中のn型またはp型ドーパントの活性化を行うための方法であって、 電気的なドーパント不純物(3)の2つの注入ステップが熱処理ステップによって分離されている、方法。
IPC (1)：
H01L 21/265
FI (2)：
H01L21/265 601A ,  H01L21/265 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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