半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：原拓実 , 野木新治 , 高橋拓也 , 黒田久美子 , 大西邦幸 , 石川隆史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014135203
Publication number (International publication number)：2016015355
Application date： Jun. 30, 2014
Publication date： Jan. 28, 2016
Summary：

【課題】エッチングによるダメージの低減とエッチング深さ制御が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】AlXGa1-XN(0≦X≦1)を含む第1半導体層の表面にマスク層を形成する工程と、前記マスク層に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第1半導体層にオゾンにより酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を酸により除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

AlXGa1-XN(0≦X≦1)を含む第1半導体層の表面にマスク層を形成する工程と、前記マスク層に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第1半導体層にオゾンにより酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を酸により除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/329 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/417

FI (6)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L29/50 M

F-Term (43)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD09 , 4M104DD15 , 4M104DD23 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD43 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH11 , 4M104HH12 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT06 , 5F102GV08 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

光電気化学装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-011185 Applicant：三菱電機株式会社, 国立大学法人東京工業大学
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-423639 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-210139 Applicant：パナソニック株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

オゾン酸化を用いたAlGaN/GaNのサブnmステップバイステップエッチング

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