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J-GLOBAL ID：201603013306541434

AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶

Inventor：
宇治原 徹

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永冶 仁

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渡邉 将太

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陳 鳴宇

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竹内 幸久

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Applicant, Patent owner：
国立大学法人名古屋大学

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Agent (1)： 特許業務法人 サトー国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015035214
Publication number (International publication number)：2016050165
Application date： Feb. 25, 2015
Publication date： Apr. 11, 2016
Summary：
【課題】AlN単結晶を溶液法で作成する方法において、溶媒表面での雑晶の析出を抑制しつつ、AlN単結晶を基板上に良好に成長させる。【解決手段】Al及びNの何れとも化合物を形成しない、又はAl及びNガスの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たす元素X(例えばFe)を用い、AlN単結晶の成長温度範囲において未飽和状態と過飽和状態とを形成する組成Fe-Xの溶媒を用いた。溶媒上部(溶媒表面)を未飽和状態とすることで、溶媒表面での雑晶の析出を抑制し、溶媒下部(溶媒と基板との界面)を過飽和状態とすることで、AlN単結晶の基板上への成長を促進する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
Nを、Alを含む組成の溶媒中に溶解させることで、AlN単結晶を被成長領域上に成長させるAlN単結晶の作製方法であって、 第1種別に属する元素として、Al及びNの何れとも化合物を形成しない条件又はAl及びNの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たす元素を用い、Alと1種類以上の前記第1種別に属する元素とを含む組成を、AlN単結晶の成長温度を含む所定温度範囲において高温側ではAlNが析出し始める窒素濃度よりも溶媒中の窒素濃度が低い未飽和状態を形成し且つ低温側ではAlNが析出し始める窒素濃度よりも溶媒中の窒素濃度が高い過飽和状態を形成する組成とした溶媒を用い、溶媒表面の温度を前記高温側範囲内とし且つ溶媒と被成長領域との界面の温度を前記低温側範囲内としてAlN単結晶を被成長領域上に成長させることを特徴とするAlN単結晶の作製方法。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/208
FI (3)：
C30B29/38 C ,  C30B25/18 ,  H01L21/208 D
F-Term (19)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F053AA03 ,  5F053BB04 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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