半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012042591
Publication number (International publication number)：2012199524
Patent number：5998380
Application date： Feb. 28, 2012
Publication date： Oct. 18, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置する第1結晶層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第1金属層と、前記第1結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第2金属層と、を有し、前記一対の第1金属層のそれぞれを結ぶ第1最短線と、前記一対の第2金属層のそれぞれを結ぶ第2最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にあり、前記第1結晶層が、p型半導体であり、前記第1結晶層が、SixGe1-x(0≦x<1)からなり、前記開口のサイズが、1μm〜100μmである半導体基板。

IPC (10)：

H01L 43/06 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/331 ( 200 6.01) , H01L 29/737 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 43/06 D , H01L 29/80 H , H01L 29/72 H , H01L 27/06 102 A , H01L 27/08 321 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-319029 Applicant：日本電装株式会社
統合されたオフセット制御を有するホール効果素子、およびゼロ・オフセットを低減するようにホール効果素子を動作する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-571905 Applicant：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-184322 Applicant：旭化成工業株式会社

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