ダイヤモンド半導体デバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫 , 中野晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014265640
Publication number (International publication number)：2016127088
Application date： Dec. 26, 2014
Publication date： Jul. 11, 2016
Summary：

【課題】p型ドーパントとしてホウ素(B)を用いても高エネルギー光子照射時に荷電粒子生成反応の影響を受けないダイヤモンド半導体デバイスを提供する。【解決手段】ダイヤモンド半導体デバイス100(電界効果トランジスタ)において、ダイヤモンドからなるp型領域2(エピタキシャル層)を有し、p型領域2のp型不純物は、10Bと11Bの2つの同位体を含むホウ素からなり、p型領域に含まれる同位体の濃度の比(10B/11B)は、同位体の天然存在比より小さい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドからなるp型領域を有し、該p型領域のp型不純物は、10Bと11Bの2つの同位体を含むホウ素からなり、該p型領域に含まれる該同位体の濃度の比(10B/11B)は、該同位体の天然存在比より小さいことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/872 , H01L 21/265 , C01B 31/06 , H01L 21/205

FI (7)：

H01L29/80 B , H01L29/78 301B , H01L29/86 301D , H01L29/86 301M , H01L21/265 Z , C01B31/06 A , H01L21/205

F-Term (33)：

4G146AA04 , 4G146AA17 , 4G146AB05 , 4G146AC27A , 4G146AD16 , 4G146AD17 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA14 , 4G146BA38 , 4G146BA45 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC45 , 5F045AA03 , 5F045AB07 , 5F045AC19 , 5F045CA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GR12 , 5F102HC01 , 5F140AA00 , 5F140BA04 , 5F140BA16 , 5F140BB15 , 5F140BD11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ダイヤモンド電子素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-014324 Applicant：株式会社神戸製鋼所
特開昭60-183768
同位体濃縮ホウ素含有化合物、およびその製造方法と使用方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2013-524931 Applicant：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド

Show all

Return to Previous Page