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J-GLOBAL ID：201603015297137156

β-Ga2O3系単結晶基板の製造方法

Inventor：
輿 公祥

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渡辺 信也

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滝沢 勝

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山岡 優

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渡邊 誠

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増井 建和

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Applicant, Patent owner：
株式会社タムラ製作所

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株式会社光波

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Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014135457
Publication number (International publication number)：2016013934
Application date： Jun. 30, 2014
Publication date： Jan. 28, 2016
Summary：
【課題】結晶品質に優れたβ-Ga2O3系単結晶基板の提供。【解決手段】EFG(Edge Defined Film Fed Growth)法によるβ-Ga2O3系単結晶の製造装置において、アフターヒーター及び反射板を設けるとともに、種結晶として双晶面を含まず、育成するGa2O3系単結晶と幅及び厚さがほぼ等しくして、幅方向及び厚さ方向に肩を広げることなく、Ga2O3系単結晶を育成することにより、結晶の配向性の劣化や転位の増加を抑えることができる。育成したGa2O3系単結晶からGa2O3系単結晶基板1を切り出し、CMP(化学機械研磨)及びドライエッチングを施すことによりさらに転位密度が低減する。これにより、平均転位密度が7.31×104cm-2未満で、双晶面3と主面との交線に垂直な方向の最大幅Wsが2インチ以上の、双晶面を含まない領域2を有するβ-Ga2O3系単結晶基板1が得られる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
平均転位密度が7.31×104cm-2未満である、 β-Ga2O3系単結晶基板。
IPC (3)：
C30B 29/16 ,  C30B 15/34 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B29/16 ,  C30B15/34 ,  H01L21/205
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BB10 ,  4G077CF01 ,  4G077ED01 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077FG01 ,  4G077FG05 ,  4G077HA12 ,  4G077PK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF01 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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