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J-GLOBAL ID：201603017425387996

半導体基板の表面モニター方法

Inventor： 中村 圭二 ,  中野 由崇
Applicant, Patent owner： 学校法人中部大学
Agent (1)： 牧野 琢磨
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012081021
Publication number (International publication number)：2013211429
Patent number：5911351
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Oct. 10, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 プラズマ処理装置によりプラズマ処理中の半導体基材に励起光を照射し、 半導体基材表面から発光された蛍光を検出し、 検出された蛍光の発光態様に基づいて、プラズマ処理中の半導体基材の表面状態を評価する半導体基材の表面モニター方法であって、 前記半導体基材のバンドギャップに対応する波長の蛍光強度、前記半導体基材の結晶欠陥に対応する波長の蛍光強度及び前記半導体基材のバンドギャップに対応する波長の蛍光強度と前記半導体基材の結晶欠陥に対応する波長の蛍光強度との比の少なくとも1つに基づいて前記半導体基材の結晶欠陥の量を評価することを特徴とする半導体基材の表面モニター方法。

IPC (5)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  G01N 21/956 ( 200 6.01) ,  G01N 21/89 ( 200 6.01) ,  G01N 21/64 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/302 103 ,  G01N 21/956 A ,  G01N 21/89 K ,  G01N 21/64 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 終点検出のために外部光源を使用した方法及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-519287   Applicant：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド