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J-GLOBAL ID：201702213467815956   Reference number：17A0848465

Heteroepitaxial growth of ε-Ga₂O₃ thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia substrates by mist chemical vapor deposition

ミストCVD法による立方晶MgO(111)およびイットリア安定化ジルコニア(111)基板上のε-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Author (3)： NISHINAKA Hiroyuki (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  TAHARA Daisuke (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMOTO Masahiro (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 12  Page： 1202BC.1-1202BC.4  Publication year： Dec. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  *gallium oxide ,  *heteroepitaxy ,  substrate(plate) ,  magnesium oxide ,  ceramics ,  yttrium oxide ,  zirconium oxide ,  compound semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  X-ray diffraction ,  *hexagonal system ,  crystal orientation ,  lattice mismatch ,  *band gap
Semi thesaurus term： *mist CVD ,  yttria stabilized zirconia ,  crystal orientation ,  *direct band gap ,  *indirect band gap

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (30)：

• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys 38, 3976 (1999).
• A. Yamada, B. Sang, and M. Konagai, Appl. Surf. Sci. 112, 216 (1997).
• T. Hirao, M. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, H. Furuta, H. Hokari, M. Yoshida, H. Ishii, and M. Kakegawa, IEEE Trans. Electron Devices 55, 3136 (2008).
• A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett. 16, 280 (1995).

Terms in the title (7)： ミストCVD法 ,  立方晶 ,  MgO ,  イットリア安定化ジルコニア ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  成長