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J-GLOBAL ID：201702213730318057   Reference number：17A0193480

Thermodynamic analysis of III-nitride MOVPE: Growth orientation dependence

エピタキシーの基礎~ステップダイナミクスと熱力学的考察~窒化物半導体MOVPEの熱力学解析~面方位依存性~

Author (8)： KANGAWA YOSHIHIRO (九大 応用力学研) ,  KANGAWA YOSHIHIRO (九大 大学院工学府) ,  KANGAWA YOSHIHIRO (名古屋大 未来材料・システム研) ,  KUSABA AKIRA (九大 大学院工学府) ,  SHIRAISHI KENJI (名古屋大 未来材料・システム研) ,  KAKIMOTO KOICHI (九大 応用力学研) ,  KAKIMOTO KOICHI (九大 大学院工学府) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大 大学院工学研究院)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 43  Issue： 4  Page： 233-238  Publication year： Jan. 2017 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thermodynamics ,  free energy ,  gas phase ,  *nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *MOCVD ,  *indium nitride ,  surface reconstruction ,  *crystal orientation ,  *temperature dependence
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (16)：

• S. Tsukamoto, N. Koguchi: J. Cryst. Growth, 201-202 (1999) 118.
• J. E. Northrup: Phys. Rev. B, 44 (1991) 1419.
• Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, Surf. Sci., 493 (2001) 178.
• Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama, Materials, 6 (2013) 3309.
• Y. Kangawa, T. Ito, A. Koukitu, K. Kakimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 100202.

Terms in the title (8)： エピタキシー ,  基礎 ,  ダイナミクス ,  熱力学 ,  窒化物半導体 ,  MOVPE ,  熱力学解析 ,  方位依存性