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J-GLOBAL ID：201702220185782419   Reference number：17A1995692

High temperature thick GaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy

トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長

Author (6)： MURAKAMI HISASHI (東京農工大 大学院) ,  TAKEGAWA NAO (東京農工大 大学院) ,  KUMAGAI YOSHINAO (東京農工大 大学院) ,  YAMAGUCHI AKIRA (大陽日酸) ,  MATSUMOTO KO (大陽日酸) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大 大学院)
Material： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
Volume： 46th  Page： ROMBUNNO.27a-C02  Publication year： 2017 
JST Material Number： L6730B  ISSN： 2188-7268  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  high temperature ,  *thick film ,  *vapor phase growth ,  halide ,  gallium chloride ,  Ammonia ,  growth rate ,  X-ray analysis ,  rocking curve ,  lattice defect

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： トリ ,  ハライド ,  気相成長 ,  GaN ,  膜成長