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J-GLOBAL ID：201702226036257021   Reference number：17A1348128

Atomically controlled processing for Ge CVD epitaxial growth

Ge CVDエピタキシャル成長のための原子的に制御された処理【Powered by NICT】

Author (7)： Murota Junichi (Micro System Integration Center, Tohoku University, 519-1176 Aramaki aza Aoba, Aoba-ku, Sendai, 980-0845, Japan) ,  Yamamoto Yuji (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Costina Ioan (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Tillack Bernd (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Vinh Le Thanh (Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Cedex 09, France) ,  Loo Roger (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Caymax Matty (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ICSICT  Page： 317-320  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： The concept of atomically cont...

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Thesaurus term： reaction control ,  chemical reactor ,  covering ,  *Germanium ,  oxide ,  *epitaxy ,  buffer layer ,  vapor deposition ,  very low temperature ,  semiconductor ,  silicon ,  hydrogen terminated

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： Ge ,  CVD ,  エピタキシャル成長 ,  原子