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J-GLOBAL ID：201702255073366473   Reference number：17A1221147

Metal-organic molecular beam epitaxy of GaAsNSe films using Ga droplets on GaP(001)

GaP(001)上のGa液滴を用いたGaAsNSe膜の有機金属分子線エピタキシー

Author (7)： SHIMOMURA Yuki (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  IGARASHI Yosuke (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  KIMURA Shinji (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  SUZUKI Yuhei (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  TADA Yoshihiro (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  FUKUDA Hisashi (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN) ,  UESUGI Katsuhiro (Muroran Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 8S1  Page： 08NB19.1-08NB19.4  Publication year： Aug. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium phosphide ,  *Gallium ,  *droplet ,  *gallium arsenide ,  nitride ,  selenium compound ,  *MOMBE ,  Diffusion ,  surface terrace ,  thin film growth ,  atomic diffusion
Semi thesaurus term： metal organic molecular beam epitaxy ,  island growth

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Film flows,liquid drops,bubbles,cavitation  (BC02070U)

Reference (33)：

• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 97, 1166 (2009).
• D. L. Mathine, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 952 (1997).
• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 88, 728 (2000).
• K. Tanabe, K. Watanabe, and Y. Arakawa, Sci. Rep. 2, 349 (2012).
• S. Licht, J. Phys. Chem. B 105, 6281 (2001).

Terms in the title (4)： GAP ,  Ga ,  液滴 ,  有機金属分子線エピタキシー