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J-GLOBAL ID：201702262934091014   Reference number：17A0848451

Current status of Ga₂O₃ power devices

Ga₂O₃パワーデバイスの現状

Author (4)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 12  Page： 1202A1.1-1202A1.7  Publication year： Dec. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  compound semiconductor ,  *power electronics ,  *semiconductor device ,  band gap ,  *material ,  silicon carbide ,  gallium nitride
Semi thesaurus term： wide band gap ,  *alternative material

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (39)：

• B. J. Baliga, J. Appl. Phys. 53, 1759 (1982).
• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 4166 (2000).
• H. He, R. Orlando, M. A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, and M. Rérat, Phys. Rev. B 74, 195123 (2006).
• T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, and M. Higashiwaki, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 112601 (2015).

Terms in the title (3)： Ga2O3 ,  パワーデバイス ,  現状