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J-GLOBAL ID：201702281680636459   Reference number：17A0605016

Plasma fusion CMP technology for GaN substrates-Evaluation of processing characteristics for plasma fusion CMP using Ar plasma and ethanol bubbling-

GaN基板のプラズマ融合CMP技術-エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価-

Author (11)： YAMAZAKI NAOKI (九大) ,  YAMAZAKI NAOKI (並木精密宝石) ,  DOI TOSHIRO (九大) ,  AIDA HIDEO (九大) ,  AIDA HIDEO (並木精密宝石) ,  KIM Seongwoo (並木精密宝石) ,  OYAMA KOKI (並木精密宝石) ,  KUROKAWA SHUHEI (九大) ,  SANO YASUHISA (大阪大) ,  SHIRATANI MASAHARU (九大) ,  YAMANISHI YOKO (九大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 7(SDM2017 1-8)  Page： 19-23  Publication year： Apr. 13, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *chemical mechanical polishing ,  *plasma ,  *argon ,  bubbling ,  cost ,  machining speed ,  aliphatic alcohol
Semi thesaurus term： *Ar ,  *chemical mechanical polishing ,  GAN ,  *RF plasma ,  cost

JST classification (3)： Grinding  (QC03000R) ,  Special machining  (QC04000Y) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Substance index (1)： Ethanol

Reference (4)：

• 土肥ら,「究極デバイスとしてのダイヤモンド基板の革新的超精密加工プロセスへのブレークスルー」,ニュースレターNo.5総集編
• 大山,土肥ら,「革新的CMP/IP-CVM融合加工装置の設計・試作(第11報)」2016年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集.pp.379-380.
• 橘ら,「大気圧プラズマ 基礎と応用」オーム社(2009),pp.57-117.
• H. Aida, T.K. Doi, et al., ′′Progress and Challenges for Chemical Mechanical Polishing of Gallium Nitride′′, Master.Res.Soc.Symp.Proc. Vol. 1560(2013)

Terms in the title (8)： GaN ,  プラズマ ,  融合 ,  CMP ,  エタノール ,  バブリング ,  Ar ,  評価