Art

J-GLOBAL ID：201702291615583627   Reference number：17A1220480

Surface thermal stability of free-standing GaN substrates

自立GaN基板に関する表面熱安定性

Author (6)： OKADA Shunsuke (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAGAWA Reina (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ERYU Osamu (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 55  Issue： 1S  Page： 01AC08.1-01AC08.5  Publication year： Jan. 2016 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,  *gallium nitride ,  *morphology ,  *surface structure ,  thermal stability ,  polarity ,  nonpolarity ,  Microscopy ,  atomic force microscope ,  heat treatment ,  cleaning (purification) ,  damage and injury ,  temperature dependence ,  *homoepitaxy ,  surface morphology ,  semipolar ,  scratch ,  *structure

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (30)：

• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
• S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L8 (1993).
• J. Ma, X. Zhu, K. Wong, X. Zou, and K. M. Lau, J. Cryst. Growth 370, 265 (2013).
• U. Zehnder, A. Weimar, U. Strauss, M. Fehrer, B. Hahn, H. J. Lugauer, and V. Harle, J. Cryst. Growth 230, 497 (2001).
• Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).

Terms in the title (3)： 自立 ,  GaN ,  熱安定性