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J-GLOBAL ID：201703008106741432

ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

Inventor： 大島 祐一 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア ,  島村 清史
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015121248
Publication number (International publication number)：2017007871
Application date： Jun. 16, 2015
Publication date： Jan. 12, 2017
Summary：

【課題】 半導体素子に適用可能なε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子を提供すること。【解決手段】 本発明によるε-Ga2O3単結晶は、カーボン濃度が5×1018cm-3以下に制御されている。本発明によるε-Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にε-Ga2O3を成長するステップを包含する。基板は、空間群P63mcを有する単結晶基板またはβ-Ga2O3からなる単結晶基板である。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

カーボン濃度は、5×1018cm-3以下である、ε-Ga2O3単結晶。

IPC (4)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/20 ,  H01L 33/26 ,  H01L 31/108

FI (4)：

C30B29/16 ,  C30B25/20 ,  H01L33/00 180 ,  H01L31/10 C

F-Term (35)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB07 ,  4G077BB10 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F241AA03 ,  5F241AA42 ,  5F241CA05 ,  5F241CA23 ,  5F241CA40 ,  5F241CA64 ,  5F849AA05 ,  5F849AB01 ,  5F849LA03 ,  5F849XB13 ,  5F849XB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化物結晶薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-118358   Applicant：株式会社FLOSFIA
• ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164748   Applicant：公立大学法人高知工科大学
• 紫外透明導電膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-182643   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Phase controllable synthesis of unusual ε-Ga2O3 single crystals with promising luminescence propert
• Polymorphism of Ga2O3 and the System Ga2O3-H2O