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J-GLOBAL ID：201703009104354004
銅錯体の製造方法およびこれを含有する導電膜形成用組成物
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
西澤 利夫
, 續 成朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015116153
Publication number (International publication number)：2017001978
Application date： Jun. 08, 2015
Publication date： Jan. 05, 2017
Summary：
【課題】高濃度で保存性に優れた導電膜形成用組成物の調製が可能である、構造的に安定な銅錯体の製造方法を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される、銅化合物とアルカノールアミンとからなる5員環または6員環構造の銅錯体の製造方法であって、前記銅化合物1molに対して、前記アルカノールアミンを1mol以上2mol未満添加する。【化1】 [式中、R1およびR2は各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、R3およびR4は各々独立に、任意の置換基を表し、nは2または3である]【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記式(1)で表される、銅化合物とアルカノールアミンとからなる5員環または6員環構造の銅錯体の製造方法であって、前記銅化合物1molに対して、前記アルカノールアミンを1mol以上2mol未満添加することを特徴とする銅錯体の製造方法。
IPC (7)：
C07C 213/08
, C07F 1/08
, H01B 13/00
, H01B 5/14
, C07C 215/08
, C07C 53/06
, C07C 51/347
C07C213/08
, C07F1/08 C
, H01B13/00 503Z
, H01B5/14 Z
, C07C215/08
, C07C53/06
, C07C51/347
4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB91
, 4H006AC41
, 4H006AC46
, 4H006AC52
, 4H006BN10
, 4H006BS70
, 4H006BU32
, 4H048AA02
, 4H048AA03
, 4H048AB91
, 4H048VA56
, 4H048VB10
, 4H048VB20
, 4H048VB40
, 5G307GA06
, 5G323AA03
Cited by examiner (3)
-
導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2013-071935
Applicant：富士フイルム株式会社
-
導電性ペースト及びそれを用いた銅膜の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-338884
Applicant：ナミックス株式会社
-
導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2013-061787
Applicant：富士フイルム株式会社
Article cited by the Patent：
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