導電性ペースト及びそれを用いた銅膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：津国肇 , 束田幸四郎 , 齋藤房幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007338884
Publication number (International publication number)：2009158441
Application date： Dec. 28, 2007
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：

【課題】簡便に、低温で緻密な銅膜を、所望の形状に形成しうる導電性ペーストを提供する。【解決手段】 (A)ギ酸銅(II)又はその化合物と、(B)式NR1R2R3:(式中、R1は、水酸基、メトキシ基、エトキシ基及びアミノ基からなる群より選択される置換基の1個で置換されている炭素数2〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素であるか、又は水酸基もしくはアミノ基で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基を表す。)で示されるアミノ化合物と、(C)炭素数5〜11の飽和脂肪酸とを含み、成分(A)1モルに対して、成分(C)が0.1〜1モルであることを特徴とする導電性ペーストである。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)ギ酸銅(II)又はその水和物と、(B)式:NR1R2R3(式中、R1は、水酸基、メトキシ基、エトキシ基及びアミノ基からなる群より選択される置換基の1個で置換されている炭素数2〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、R2及びR3は、それぞれ独立して、水素であるか、又は水酸基もしくはアミノ基で置換されていてもよい炭素数1〜3のアルキル基を表す。)で示されるアミノ化合物と、(C)炭素数5〜11の飽和脂肪酸とを含み、成分(A)1モルに対して、成分(C)が0.1〜1モルであることを特徴とする導電性ペースト。

IPC (1)：

H01B 13/00

FI (2)：

H01B13/00 503C , H01B13/00 503Z

F-Term (1)：

5G323AA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

金属ペースト及び金属膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-113076 Applicant：日本テルペン化学株式会社
基材上の銅層の析出
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-164244 Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

Cited by examiner (5)

金属ペースト及び金属膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-113076 Applicant：日本テルペン化学株式会社
基材上の銅層の析出
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-164244 Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト
金属元素含有有機化合物ぺースト、その製造方法及びその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-131918 Applicant：ナミックス株式会社

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