Pat

J-GLOBAL ID：201703009481190636

炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法

Inventor： 升本 恵子 ,  児島 一聡 ,  田村 謙太郎
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013066041
Publication number (International publication number)：2014189436
Patent number：6112712
Application date： Mar. 27, 2013
Publication date： Oct. 06, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 少なくとも、α型の結晶構造を有し、(0001)Si面を0°よりも大きく5°未満傾斜させた炭化珪素基板の基板表面に対し、水素ガスを含むエッチングガスを導入して水素エッチングする水素エッチング工程と、原料ガスを導入して前記水素エッチング後の前記基板表面上にエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長層形成工程と、を含む炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法であって、 前記水素エッチング工程が、前記基板表面に対するエッチング深さを1nm以下とするエッチング条件で実施されることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  C30B 25/20 ( 200 6.01)

FI (5)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-283113   Applicant：昭和電工株式会社
• SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-198872   Applicant：昭和電工株式会社
• SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-103838   Applicant：トヨタ自動車株式会社