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J-GLOBAL ID：200903097079671265

SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法

Inventor：
斎藤 広明

About 斎藤 広明


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (4)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007103838
Publication number (International publication number)：2008260650
Application date： Apr. 11, 2007
Publication date： Oct. 30, 2008
Summary：
【課題】異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないSiC単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。【解決手段】六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、20kPa以下の減圧下で行なう。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、前記基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする、SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
IPC (3)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
F-Term (28)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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