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J-GLOBAL ID：201103059304865820

SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

Inventor：
百瀬 賢治

About 百瀬 賢治

, 
田島 裕

About 田島 裕

, 
坂口 泰之

About 坂口 泰之

, 
小田原 道哉

About 小田原 道哉

, 
宮坂 佳彦

About 宮坂 佳彦


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009198872
Publication number (International publication number)：2011049496
Application date： Aug. 28, 2009
Publication date： Mar. 10, 2011
Summary：
【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、5°以下のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が3nm以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を1400〜1600°Cにしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のSiH4ガスとC3H8ガスとを濃度比C/Siが0.7〜1.2で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、SiH4ガスとC3H8ガスの供給を同時に停止し、SiH4ガスとC3H8ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H-SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、レーザー光を用いる光学式表面検査装置により前記SiCエピタキシャルウェハ層の表面を測定した場合に、前記表面の二乗平均粗さRqが1.3nm以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/42
FI (4)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C23C16/42
F-Term (52)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE03 ,  4G077GA02 ,  4G077GA05 ,  4G077GA06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DP13 ,  5F045GB11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (2)

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