光子検出装置及び光子検出方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：塩田伸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015123764
Publication number (International publication number)：2017009372
Application date： Jun. 19, 2015
Publication date： Jan. 12, 2017
Summary：

【課題】実用的で、アフターパルスがなく、ダークカウントの発生を抑えた光子検出を行うことができ、かつ、低ジッタで高い計数率が得られる光子検出装置及び光子検出方法を提供する。【解決手段】板面が光子検出面とされる長板状の超伝導ストリップ線1及び超伝導ストリップ線1にバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段2を有する光子検出部と、光子検出時に超伝導ストリップ線1から飛散する磁束を検出可能な単一磁束量子コンパレータ回路4と、を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

板面が光子検出面とされる長板状の超伝導ストリップ線及び前記超伝導ストリップ線にバイアス電流を供給するバイアス電流供給手段を有する光子検出部と、光子検出時に前記超伝導ストリップ線から飛散する磁束を検出可能な単一磁束量子コンパレータ回路と、を有することを特徴とする光子検出装置。

IPC (2)：

G01J 1/02 , H01L 39/00

FI (2)：

G01J1/02 R , H01L39/00 A

F-Term (10)：

2G065AA04 , 2G065BA31 , 2G065BA34 , 2G065BC01 , 2G065BC31 , 2G065BE08 , 2G065CA12 , 4M113AC22 , 4M113AC25 , 4M113AC46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

光-磁束変換型入力インターフェース回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-162552 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
デジタルシリコン光電子増倍管アレイに関する位置敏感な読み出しモード
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2014-523426 Applicant：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Return to Previous Page