Pat
J-GLOBAL ID:201703014278713198
電界効果トランジスタ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大谷 嘉一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015093772
Publication number (International publication number):2016213280
Application date: May. 01, 2015
Publication date: Dec. 15, 2016
Summary:
【課題】優れたキャリア制御特性を有する電界効果トランジスタの提供をする。【解決手段】トランジスタ10は、シリコン等の基板11の上にPtの電極12を形成し、その上に75/25mol%のVDF/TrFE(フッ化ビニリデン-三フッ化エチレン共重合体)をスピンコート法により塗布後に120°Cにて乾燥させ、膜厚150nmの強誘電体13の薄膜を形成する。二次元物質14としてMoS2(二硫化モリブデン)を薄片化し、これをテープを用いて強誘電体13の上に転写する。その後にフォトリソグラフィにより部分的にAuからなるドレイン電極15とソース電極16を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (9):
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 21/336
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 29/24
, H01L 27/28
, H01L 51/05
, H01L 29/786
FI (6):
H01L27/10 444B
, H01L29/78 371
, H01L29/24
, H01L27/10 449
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617T
F-Term (18):
5F083FR05
, 5F083GA30
, 5F083JA38
, 5F083JA60
, 5F083PR23
, 5F101BA62
, 5F101BB02
, 5F101BD12
, 5F101BE07
, 5F110AA01
, 5F110CC07
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110FF36
, 5F110GG04
, 5F110GG22
, 5F110GG28
, 5F110GG29
Patent cited by the Patent:
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