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J-GLOBAL ID：201703015171218042

水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ

Inventor： 川江 健 ,  徳田 規夫 ,  古市 浩幹 ,  柄谷 涼太 ,  中嶋 宇史
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 大谷 嘉一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015138068
Publication number (International publication number)：2017022240
Application date： Jul. 09, 2015
Publication date： Jan. 26, 2017
Summary：

【課題】高い表面キャリア密度を有する水素終端表面からなるダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタを提供をする。【解決手段】水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲート絶縁膜を組み合せる。また、強誘電体は、水素終端ダイヤモンド表面に300°C以下の低温で薄膜形成され、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E

F-Term (11)：

5F110AA08 ,  5F110CC01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-217679   Applicant：東京瓦斯株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-035794   Applicant：三菱電機株式会社
• 強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-125829   Applicant：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド