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J-GLOBAL ID：201703020792822834

磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム

Inventor：
今北 健一

About 今北 健一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015207745
Publication number (International publication number)：2017079089
Application date： Oct. 22, 2015
Publication date： Apr. 27, 2017
Summary：
【課題】RA及びMR比に優れた磁気抵抗素子の製造を可能とする。【解決手段】一実施形態の磁気抵抗素子の製造方法は、ベース基板上に下部電極を構成する第1の積層体を形成する工程と、第1の積層体の上に磁気抵抗効果積層体である第2の積層体を形成する工程と、第2の積層体の上に上部電極を形成する工程と、を含む。第1の積層体を形成する工程は、ベース基板の上に金属層を形成する工程と、金属層の上に導電性アモルファス層を形成する工程と、導電性アモルファス層に対してイオンエッチングを行う工程と、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
磁気抵抗素子の製造方法であって、 ベース基板上に前記磁気抵抗素子の下部電極を構成する第1の積層体を形成する工程と、 前記第1の積層体の上に前記磁気抵抗素子の磁気抵抗効果積層体である第2の積層体を形成する工程と、 前記第2の積層体の上に前記磁気抵抗素子の上部電極を形成する工程と、 を含み、 第1の積層体を形成する前記工程は、 前記ベース基板の上に金属層を形成する工程と、 前記金属層の上に導電性アモルファス層を形成する工程と、 前記導電性アモルファス層に対してイオンエッチングを行う工程と、 を含む、製造方法。
IPC (5)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (4)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 D ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (25)：
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ12 ,  5D034BA03 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034CA00 ,  5D034CA06 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC12 ,  5F092BE06 ,  5F092CA02 ,  5F092CA08 ,  5F092GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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